(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFSL31N20DPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFSL31N20DPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount, Through Hole
- Количество контактов：3
- Номинальное напряжение (постоянное)：200 V
- РХОС：Compliant
- Время отключения：26 ns
- Пакетирование：Bulk
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：300 W
- Моментальный ток：31 A
- Распад мощности：200 W
- Время задержки включения：16 ns
- Время подъема：38 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
- Непрерывный ток стока (ID)：160 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Напряжение пробоя стока к истоку：200 V
- Входной ёмкости：7.96 nF
- Сопротивление стока к истоку：82 mΩ
- Rds на макс.：3.3 mΩ
- Ширина：4.826 mm
- Высота：9.652 mm
- Длина：10.668 mm
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
