UJ4SC075018L8S

Name: UnitedSiC UJ4SC075018L8S
Brand: UnitedSiC
Rating: 4.5 (18 reviews)

UnitedSiC
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerSFN
750V/18MO,SICFET,G4,TOLL
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerSFN
Поставщик упаковки устройства：TOLL
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Основной номер продукта：UJ4SC075
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：53A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：12V
Mfr：UnitedSiC
Максимальная мощность рассеяния：349W (Tc)
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：750 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：6 V
Распад мощности：349 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：37.8 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：18 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：53 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Серия：-
Технология：SiCFET (Silicon Carbide)
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：23mOhm @ 50A, 12V
Втс(th) (Макс) @ Id：6V @ 10mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1414 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37.8 nC @ 15 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：750 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 0

Итого $0.00000