(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI2305B-13P
Изображение служит лишь для справки
SI2305B-13P
-
Micro Commercial Components
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-3
- MOSFET P-Ch -20Vds 10Vgs FET
Date Sheet
Lagernummer 13
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-23-3
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：900 mV
- Распад мощности：1.4 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 10 V, + 10 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：8.58 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：39 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：4.2 A
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
Со склада 13
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
