(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IQDH45N04LM6CGATMA1
Изображение служит лишь для справки
IQDH45N04LM6CGATMA1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-TTFN-9
- MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 2328
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：PG-TTFN-9
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.3 V
- Распад мощности：333 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：62 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：450 uOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：637 A
Со склада 2328
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
