(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MCG40N10YHE3-TP
Изображение служит лишь для справки
MCG40N10YHE3-TP
Lagernummer 9887
- 1+： $1.07149
- 10+： $1.01084
- 100+： $0.95362
- 500+： $0.89964
- 1000+： $0.84872
Zwischensummenbetrag $1.07149
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
- Распад мощности：43 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：16 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：17 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：40 A
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
Со склада 9887
- 1+： $1.07149
- 10+： $1.01084
- 100+： $0.95362
- 500+： $0.89964
- 1000+： $0.84872
Итого $1.07149
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
