![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-mur3060wtg-4615.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FGH40T65SH-F155
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
Date Sheet
Lagernummer 24
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Количество контактов:3
- Вес:6.39g
- Диэлектрический пробой напряжение:650V
- Условия испытания:400V, 40A, 6 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2015
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности:268W
- Конфигурация элемента:Single
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:268W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.1V
- Максимальный ток сбора:80A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 40A
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Зарядная мощность:72.2nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:19.2ns/65.6ns
- Переключаемый энергопотребление:1.01mJ (on), 297μJ (off)
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 24
Итого $0.00000