(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGP12N120A3
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-220-3
- IGBT 1200V 22A 100W TO220
Date Sheet
Lagernummer 56
- 1+： $3.02417
- 10+： $2.85299
- 100+： $2.69150
- 500+： $2.53915
- 1000+： $2.39542
Zwischensummenbetrag $3.02417
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：GenX3™
- Опубликовано：2010
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Максимальная потеря мощности：100W
- Положение терминала：SINGLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：100W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：3V
- Максимальный ток сбора：22A
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：202 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3V @ 15V, 12A
- Время выключения (toff)：1545 ns
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：20.4nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60A
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 56
- 1+： $3.02417
- 10+： $2.85299
- 100+： $2.69150
- 500+： $2.53915
- 1000+： $2.39542
Итого $3.02417
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
