Изображение служит лишь для справки
IRG7CH37K10EF
- Infineon Technologies
- Транзисторы - IGBT - Одинарные
- Die
- IGBT CHIP WAFER
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:Die
- Максимальный коллекторный ток (Ic):15A
- Условия испытания:600V, 15A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура:-40°C~175°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2013
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Входной тип:Standard
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 15A
- Зарядная мощность:80nC
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:28ns/122ns
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):30V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:7.5V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000