![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-fga70n30ttu-4577.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FGA20S125P-SN00336
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-3P-3, SC-65-3
- Вес:6.401g
- Диэлектрический пробой напряжение:1.25kV
- Условия испытания:600V, 20A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2016
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности:250W
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:250W
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.5V
- Максимальный ток сбора:40A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1250V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 20A
- Тип ИGBT:Trench
- Зарядная мощность:153nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):60A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:10ns/400ns
- Переключаемый энергопотребление:740μJ (on), 500μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):25V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:7.5V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 8
Итого $0.00000