(0)
Изображение служит лишь для справки
RGTH60TS65DGC11
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT 650V 58A 194W TO-247N
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2014
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：194W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：194W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：650V
- Максимальный ток сбора：58A
- Время обратной рекомпенсации：58 ns
- Время включения：67 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 30A
- Прямоходящий ток коллектора：30A
- Время выключения (toff)：179 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：58nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：27ns/105ns
- REACH SVHC：Unknown
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
