(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGX100N170
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT 1700V 170A 830W PLUS247
Date Sheet
Lagernummer 37
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.7kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Максимальная потеря мощности：830W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：830W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：3V
- Максимальный ток сбора：170A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1700V
- Время включения：285 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3V @ 15V, 100A
- Время выключения (toff)：720 ns
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：425nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：600A
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 37
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
