
Изображение служит лишь для справки






IRGSL4B60KD1PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- IGBT 600V 11A 63W TO262
Date Sheet
Lagernummer 47
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Количество элементов:1
- Условия испытания:400V, 4A, 100 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2004
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Дополнительная Характеристика:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
- Ток постоянного напряжения - номинальный:600V
- Максимальная потеря мощности:63W
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:11A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:63W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Входной тип:Standard
- Применение транзистора:MOTOR CONTROL
- Время подъема:18ns
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.5V
- Максимальный ток сбора:11A
- Время обратной рекомпенсации:93 ns
- Время включения:40 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 4A
- Время выключения (toff):199 ns
- Тип ИGBT:NPT
- Зарядная мощность:12nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):22A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:22ns/100ns
- Переключаемый энергопотребление:73μJ (on), 47μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5.5V
- Время падения максимальное (tf):89ns
- Высота:9.652mm
- Длина:10.668mm
- Ширина:4.826mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 47
Итого $0.00000