HGTG30N60B3

Name: ON Semiconductor HGTG30N60B3
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-247-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3IGBT Single Transistor, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Date Sheet

Lagernummer 31

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：480V, 30A, 3 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：208W
Моментальный ток：60A
Основной номер части：HGTG30N60
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：208W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Применение транзистора：POWER CONTROL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：60A
Максимальное напряжение разрушения：600V
Время включения：56 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 30A
Прямоходящий ток коллектора：60A
Время выключения (toff)：365 ns
Зарядная мощность：170nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：220A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：36ns/137ns
Переключаемый энергопотребление：500μJ (on), 680μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Время падения максимальное (tf)：150ns
Высота：20.82mm
Длина：15.87mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 31

Итого $0.00000