Изображение служит лишь для справки
SIGC57T120R3LEX1SA3
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- Die
- IGBT 1200V 50A DIE
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：Die
- Packaging：Bulk
- Published：2014
- Pbfree Code：no
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-40°C
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Input Type：Standard
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1.2kV
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：1.2kV
- Max Dual Supply Voltage：1.2kV
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：1200V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 50A
- IGBT Type：Trench Field Stop
- Current - Collector Pulsed (Icm)：150A
- Gate-Emitter Voltage-Max：20V
- Gate-Emitter Thr Voltage-Max：6.5V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты