(0)
Изображение служит лишь для справки
APT50GP60B2DQ2G
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3 Variant
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
Date Sheet
Lagernummer 469
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3 Variant
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 50A, 4.3 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：POWER MOS 7®
- Опубликовано：1999
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
- Максимальная потеря мощности：625W
- Моментальный ток：150A
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：150A
- Время включения：55 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.7V @ 15V, 50A
- Время выключения (toff)：200 ns
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：165nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：190A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：19ns/85ns
- Переключаемый энергопотребление：465μJ (on), 635μJ (off)
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 469
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
