(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGX82N120B3
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors GenX3 1200V IGBTs
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：24 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Условия испытания：600V, 80A, 2 Ω, 15V
- Пакетирование：Tube
- Серия：GenX3™
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Максимальная потеря мощности：1.25kW
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：1250W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：3.2V
- Максимальный ток сбора：230A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：112 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 82A
- Время выключения (toff)：760 ns
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：350nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：500A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：30ns/210ns
- Переключаемый энергопотребление：5mJ (on), 3.3mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
- Время падения максимальное (tf)：180ns
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
