(0)
Изображение служит лишь для справки
IXBT24N170
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- IGBT 1700V 60A 250W TO268
Date Sheet
Lagernummer 47
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：24 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.7kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：BIMOSFET™
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Максимальная потеря мощности：250W
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：250W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.5V
- Максимальный ток сбора：60A
- Время обратной рекомпенсации：1.06 μs
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1700V
- Время включения：190 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 24A
- Время выключения (toff)：1285 ns
- Зарядная мощность：140nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：230A
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 47
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
