IRG4PSH71KDPBF

Name: Infineon Technologies IRG4PSH71KDPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (6 reviews)

Lagernummer 2097

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-274AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
Количество элементов：1
Условия испытания：800V, 42A, 5 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：1999
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：Through Hole
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
Ток постоянного напряжения - номинальный：1.2kV
Максимальная потеря мощности：350W
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Моментальный ток：78A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：350W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Время подъема：84ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：3.9V
Максимальный ток сбора：78A
Время обратной рекомпенсации：107 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
Время включения：152 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.9V @ 15V, 42A
Время выключения (toff)：660 ns
Зарядная мощность：410nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：156A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：67ns/230ns
Переключаемый энергопотребление：5.68mJ (on), 3.23mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Время падения максимальное (tf)：190ns
Высота：20.8mm
Длина：16.0782mm
Ширина：5.3mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2097

Итого $0.00000