(0)
Изображение служит лишь для справки
IRG4BC40WPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-220-3
- IGBT 600V 40A 160W TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 238
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：480V, 20A, 10 Ω, 15V
- Время отключения：100 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2000
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Завершение：Through Hole
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
- Максимальная потеря мощности：160W
- Моментальный ток：40A
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：160W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Время задержки включения：27 ns
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Время подъема：22ns
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.5V
- Максимальный ток сбора：40A
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Входной ёмкости：1.9nF
- Время включения：49 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 20A
- Время выключения (toff)：174 ns
- Зарядная мощность：98nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：160A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：27ns/100ns
- Переключаемый энергопотребление：110μJ (on), 230μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
- Время падения максимальное (tf)：110ns
- Высота：8.77mm
- Длина：10.54mm
- Ширина：4.69mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead, Lead Free
Со склада 238
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
