![](https://static.whisyee.com/dimg/stmicroelectronics-rbo4040t-2993.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
STGP19NC60W
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-220-3
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
Lagernummer 409
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Количество элементов:1
- Условия испытания:390V, 12A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура:-65°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:PowerMESH™
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Максимальная потеря мощности:130W
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STGP19
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:130W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):600V
- Максимальный ток сбора:40A
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Время включения:33 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 12A
- Время выключения (toff):204 ns
- Зарядная мощность:53nC
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:25ns/90ns
- Переключаемый энергопотребление:81μJ (on), 125μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5.75V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 409
Итого $0.00000