IRG4BC30FD-SPBF

Name: Infineon Technologies IRG4BC30FD-SPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (7 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 141

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：480V, 17A, 23 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：100W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：31A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：100W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время подъема：27ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.8V
Максимальный ток сбора：31A
Время обратной рекомпенсации：42 ns
Время включения：69 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.8V @ 15V, 17A
Время выключения (toff)：620 ns
Зарядная мощность：51nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：124A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：42ns/230ns
Переключаемый энергопотребление：630μJ (on), 1.39mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Высота：4.699mm
Длина：10.668mm
Ширина：9.652mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 141

Итого $0.00000