(0)
Изображение служит лишь для справки
STGWA80H65FB
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
Date Sheet
Lagernummer 609
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Вес：38.000013g
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Условия испытания：400V, 80A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：469W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STGWA80
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：469W
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：650V
- Максимальный ток сбора：120A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 80A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：414nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：240A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：84ns/280ns
- Переключаемый энергопотребление：2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 609
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
