(0)
Изображение служит лишь для справки
STGWT80H65FB
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-3P Tube
Date Sheet
Lagernummer 91
- 1+： $5.59109
- 10+： $5.27461
- 100+： $4.97605
- 500+： $4.69439
- 1000+： $4.42867
Zwischensummenbetrag $5.59109
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：32 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
- Количество контактов：3
- Вес：6.756003g
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Условия испытания：400V, 80A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：469W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STGWT80
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：469W
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：650V
- Максимальный ток сбора：120A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 80A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：414nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：240A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：84ns/280ns
- Переключаемый энергопотребление：2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
- Высота：20.1mm
- Длина：15.8mm
- Ширина：5mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 91
- 1+： $5.59109
- 10+： $5.27461
- 100+： $4.97605
- 500+： $4.69439
- 1000+： $4.42867
Итого $5.59109
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
