IRG4IBC20FDPBF

Name: Infineon Technologies IRG4IBC20FDPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (10 reviews)

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：480V, 9A, 50 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2000
Состояние изделия：Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：34W
Моментальный ток：14.3A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：34W
Сокетная связка：ISOLATED
Входной тип：Standard
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время подъема：20ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2V
Максимальный ток сбора：14.3A
Время обратной рекомпенсации：37 ns
Код JEDEC-95：TO-220AB
Время включения：63 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 9A
Время выключения (toff)：610 ns
Зарядная мощность：27nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：64A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：43ns/240ns
Переключаемый энергопотребление：250μJ (on), 640μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Высота：16.129mm
Длина：10.7442mm
Ширина：4.826mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000