Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB14R8XNX
Изображение служит лишь для справки
PMPB14R8XNX
- Nexperia
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
- Date Sheet
Lagernummer 631
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства:DFN2020M-6
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:PMPB14
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.3A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:1.5W (Ta), 18W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:900 mV
- Распад мощности:1 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 12 V, + 12 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:6.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:34.8 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:10 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:18.4mOhm @ 7.3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:500 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:6.5 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 631
Итого $0.00000