Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD023N04NF2SATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPD023N04NF2SATMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRENCH <= 40V
- Date Sheet
Lagernummer 479
- 1+: $0.47980
- 10+: $0.45265
- 100+: $0.42702
- 500+: $0.40285
- 1000+: $0.38005
Zwischensummenbetrag $0.47980
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO252-3
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:IPD023
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:27A (Ta), 143A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:3W (Ta), 150W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.2 V
- Распад мощности:150 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:68 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.3 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:143 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:StrongIRFET™2
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.3mOhm @ 70A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.4V @ 81µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4800 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:102 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 479
- 1+: $0.47980
- 10+: $0.45265
- 100+: $0.42702
- 500+: $0.40285
- 1000+: $0.38005
Итого $0.47980