Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RM12N650IP-T
Изображение служит лишь для справки
RM12N650IP-T
-
Rectron
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3
- MOSFET D-PAK MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 39
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-251-3
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Время типичного задержки включения：11 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：101 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.011993 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：RM12N650IP
- Производитель：Rectron
- Бренд：Rectron
- Зарядная характеристика ворот：19 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：360 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：58 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：11.5 A
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：8 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 39
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты