Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RM5N650LD-T
Изображение служит лишь для справки
RM5N650LD-T
-
Rectron
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3
- MOSFET D-PAK MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-252-3
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Время типичного задержки включения：6 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：49 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.011640 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：4.8 S
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：RM5N650LD
- Производитель：Rectron
- Бренд：Rectron
- Зарядная характеристика ворот：20 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：900 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：5 A
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：3 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты