Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RM80N30LD-T
Изображение служит лишь для справки
RM80N30LD-T
-
Rectron
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-2
- MOSFET D-PAK MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-252-2
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：20 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Распад мощности：83 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.011640 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：20 S
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：RM80N30LD
- Производитель：Rectron
- Бренд：Rectron
- Зарядная характеристика ворот：51 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：6.5 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：60 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：80 A
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：15 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 31
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты