(0)
Изображение служит лишь для справки
BSM75GAR120DN2HOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MOD 1200V 30A 235W
Date Sheet
Lagernummer 535
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：30A
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：7
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код JESD-30：R-XUFM-X7
- Конфигурация：Single
- Мощность - Макс：235W
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：400μA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.2V @ 15V, 15A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：1nF @ 25V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 535
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
