(0)
Изображение служит лишь для справки
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：50A
- Количество элементов：6
- Рабочая температура：150°C TJ
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：17
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：17
- Код JESD-30：R-XUFM-X17
- Конфигурация：Three Phase Inverter
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：280W
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：120 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 35A
- Время выключения (toff)：450 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：2nF @ 25V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
