Изображение служит лишь для справки
MUBW75-06A8
- IXYS
- Транзисторы - Модули IGBT
- E3
- IGBT MODULE 600V 100A 320W E3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Монтаж:Chassis Mount, Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:E3
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Количество элементов:6
- Время отключения:450 ns
- Рабочая температура:-40°C~125°C TJ
- Опубликовано:2007
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:24
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED
- Максимальная потеря мощности:320W
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:MUBW
- Число контактов:24
- Код JESD-30:R-XUFM-X24
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:Three Phase Inverter with Brake
- Сокетная связка:ISOLATED
- Время задержки включения:150 ns
- Мощность - Макс:320W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Ввод:Three Phase Bridge Rectifier
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.5V
- Максимальный ток сбора:100A
- Ток - отсечка коллектора (макс):1.4mA
- Обратная напряжение:1.6kV
- Входной ёмкости:4.2nF
- Время включения:210 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 75A
- Время выключения (toff):490 ns
- Тип ИGBT:NPT
- Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:4.2nF @ 25V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000