(0)
Изображение служит лишь для справки
MUBW15-12A7
-
IXYS
-
Транзисторы - Модули IGBT
- E2
- IGBT MODULE 1200V 35A 180W E2
Date Sheet
Lagernummer 1
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：E2
- Количество контактов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：7
- Рабочая температура：-40°C~125°C TJ
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：24
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Дополнительная Характеристика：LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE
- Максимальная потеря мощности：180W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：MUBW
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Three Phase Inverter with Brake
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：180W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Three Phase Bridge Rectifier
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.6V
- Максимальный ток сбора：35A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：900μA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Обратная напряжение：1.6kV
- Входной ёмкости：1nF
- Время включения：170 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.6V @ 15V, 15A
- Время выключения (toff)：570 ns
- Тип ИGBT：NPT
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：1nF @ 25V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
