(0)
Изображение служит лишь для справки
FF150R12KS4HOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module
Date Sheet
Lagernummer 28
- 1+： $85.92633
- 10+： $81.06258
- 100+： $76.47413
- 500+： $72.14541
- 1000+： $68.06170
Zwischensummenbetrag $85.92633
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：99 Weeks
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：225A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-40°C~125°C
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：7
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：FAST
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：7
- Код JESD-30：R-XUFM-X7
- Конфигурация：2 Independent
- Конфигурация элемента：Dual
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：1250W
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：180 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.7V @ 15V, 150A
- Время выключения (toff)：590 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：11nF @ 25V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 28
- 1+： $85.92633
- 10+： $81.06258
- 100+： $76.47413
- 500+： $72.14541
- 1000+： $68.06170
Итого $85.92633
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
