(0)
Изображение служит лишь для справки
FZ400R12KE3HOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MOD 1200V 650A 2250W
Date Sheet
Lagernummer 2805
- 1+： $95.82254
- 10+： $90.39863
- 100+： $85.28172
- 500+： $80.45446
- 1000+： $75.90043
Zwischensummenbetrag $95.82254
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Panel, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-40°C~125°C
- Опубликовано：2012
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：2.25kW
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：5
- Код JESD-30：R-XUFM-X5
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：2.25kW
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：2250W
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：650A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：400 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.15V @ 15V, 400A
- Время выключения (toff)：830 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：28nF @ 25V
- Высота：36.5mm
- Длина：106.4mm
- Ширина：61.4mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2805
- 1+： $95.82254
- 10+： $90.39863
- 100+： $85.28172
- 500+： $80.45446
- 1000+： $75.90043
Итого $95.82254
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
