
Изображение служит лишь для справки






FF1000R17IE4BOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- INFINEON FF1000R17IE4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 1000 A, 2 V, 6.25 kW, 1.7 kV, Module
Date Sheet
Lagernummer 673
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:12
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-40°C~150°C
- Серия:PrimePACK™3
- Опубликовано:2002
- Безоловая кодировка:no
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:7
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:12
- Код JESD-30:R-XUFM-X7
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:2 Independent
- Конфигурация элемента:Dual
- Сокетная связка:ISOLATED
- Мощность - Макс:6250W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Без галогенов:Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Ввод:Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1700V
- Время включения:720 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.45V @ 15V, 1000A
- Время выключения (toff):1890 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:81nF @ 25V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 673
Итого $0.00000