(0)
Изображение служит лишь для справки
APT75GT120JU3
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Модули IGBT
- ISOTOP
- POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- Срок поставки от производителя：36 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：ISOTOP
- Количество контактов：4
- Вес：30.000004g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Опубликовано：2006
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
- Максимальная потеря мощности：416W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：416W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：100A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Входной ёмкости：5.34nF
- Время включения：335 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 75A
- Время выключения (toff)：610 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：5.34nF @ 25V
- Максимальное напряжение на выходе：2.1 V
- Высота：9.6mm
- Длина：38.2mm
- Ширина：25.4mm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
