RH6R025BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RH6R025BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 0.759366 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (6 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE
Date Sheet

Lagernummer 2407

1+： $0.75937
10+： $0.71638
100+： $0.67583
500+： $0.63758
1000+： $0.60149

Zwischensummenbetrag $0.75937

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поставщик упаковки устройства：8-HSMT (3.2x3)
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Основной номер продукта：RH6R025
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
Mfr：Rohm Semiconductor
Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 59W (Tc)
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：150 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：59 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：16.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：73 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：25 A
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：-
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60mOhm @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1010 pF @ 75 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16.7 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 2407

1+： $0.75937
10+： $0.71638
100+： $0.67583
500+： $0.63758
1000+： $0.60149

Итого $0.75937