(0)
Изображение служит лишь для справки
BFR193E6327HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 777
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：80mA
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：12V
- Максимальная потеря мощности：580mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：65mA
- Частота：8GHz
- Основной номер части：BFR193
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：580mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：12V
- Максимальный ток сбора：80mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 30mA 8V
- Увеличение：10dB ~ 15dB
- Частота перехода：8000MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：2V
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- Высота：1mm
- Длина：2.9mm
- Ширина：1.3mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 777
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
