(0)
Изображение служит лишь для справки
KSP10BU
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Date Sheet
Lagernummer 34900
- 1+： $0.21675
- 10+： $0.20448
- 100+： $0.19291
- 500+： $0.18199
- 1000+： $0.17169
Zwischensummenbetrag $0.21675
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов：3
- Вес：179mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：25V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：60
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
- Максимальная потеря мощности：350mW
- Положение терминала：BOTTOM
- Моментальный ток：100mA
- Частота：650MHz
- Основной номер части：KSP10
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：350mW
- Продуктивность полосы частот：650MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：25V
- Максимальный ток сбора：50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 4mA 10V
- Частота перехода：650MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：3V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：0.7pF
- Высота：4.58mm
- Длина：4.58mm
- Ширина：3.86mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 34900
- 1+： $0.21675
- 10+： $0.20448
- 100+： $0.19291
- 500+： $0.18199
- 1000+： $0.17169
Итого $0.21675
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
