Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ BF999E6327HTSA1
Изображение служит лишь для справки
BF999E6327HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 100000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Number of Elements：1
- Usage Level：Military grade
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：20V
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：30mA
- Frequency：45MHz
- Configuration：SINGLE
- Number of Channels：1
- Operating Mode：DEPLETION MODE
- Current - Test：10mA
- Halogen Free：Not Halogen Free
- Transistor Type：N-Channel
- Continuous Drain Current (ID)：30mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Gain：27dB
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Noise Figure：2.1dB
- Voltage - Test：10V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 100000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты