Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ BF998E6327HTSA1
Изображение служит лишь для справки
BF998E6327HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- TO-253-4, TO-253AA
- Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R
Date Sheet
Lagernummer 43
- 1+： $0.20920
- 10+： $0.19736
- 100+： $0.18619
- 500+： $0.17565
- 1000+： $0.16571
Zwischensummenbetrag $0.20920
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Package / Case：TO-253-4, TO-253AA
- Mount：Surface Mount
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：4
- Number of Elements：1
- Usage Level：Military grade
- Published：2001
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：12V
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：30mA
- Frequency：45MHz
- Base Part Number：BF998
- Pin Count：4
- Configuration：SINGLE
- Number of Channels：1
- Operating Mode：DUAL GATE, DEPLETION MODE
- Case Connection：SOURCE
- Current - Test：10mA
- Halogen Free：Not Halogen Free
- Transistor Type：N-Channel
- Continuous Drain Current (ID)：30mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Gain：28dB
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.03A
- Input Capacitance：1.2pF
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Noise Figure：2.8dB
- Width：1.3mm
- Length：2.9mm
- Height：1mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
Со склада 43
- 1+： $0.20920
- 10+： $0.19736
- 100+： $0.18619
- 500+： $0.17565
- 1000+： $0.16571
Итого $0.20920
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты