(0)
Изображение служит лишь для справки
BFP740H6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SC-82A, SOT-343
- Trans RF BJT NPN 4V 0.03A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
Date Sheet
Lagernummer 9359
- 1+： $0.31199
- 10+： $0.29433
- 100+： $0.27767
- 500+： $0.26195
- 1000+： $0.24712
Zwischensummenbetrag $0.31199
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-82A, SOT-343
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON GERMANIUM
- Диэлектрический пробой напряжение：4.7V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности：160mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Частота：42GHz
- Основной номер части：BFP740
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：160mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：4V
- Максимальный ток сбора：30mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：160 @ 25mA 3V
- Увеличение：27dB
- Частота перехода：42000MHz
- Максимальное напряжение разрушения：4.7V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：13V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：1.2V
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 9359
- 1+： $0.31199
- 10+： $0.29433
- 100+： $0.27767
- 500+： $0.26195
- 1000+： $0.24712
Итого $0.31199
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
