Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SGT120R65AL
Изображение служит лишь для справки
SGT120R65AL
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Date Sheet
Lagernummer 43
- 1+： $4.78518
- 10+： $4.51432
- 100+： $4.25880
- 500+： $4.01773
- 1000+： $3.79031
Zwischensummenbetrag $4.78518
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：PowerFlat™ (5x6) HV
- Основной номер продукта：SGT120
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V
- Mfr：STMicroelectronics
- Максимальная мощность рассеяния：192W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120mOhm @ 5A, 6V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 12mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：125 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3 nC @ 6 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -10V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 43
- 1+： $4.78518
- 10+： $4.51432
- 100+： $4.25880
- 500+： $4.01773
- 1000+： $3.79031
Итого $4.78518
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты