BC857BDW1T1G

Name: ON Semiconductor BC857BDW1T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (8 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Date Sheet

Lagernummer 776

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：220
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
Максимальная потеря мощности：380mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Частота：100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC857BD
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：380mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：100MHz
Тип транзистора：2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：900μm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 776

Итого $0.00000