BC847PN-7-F

Name: Diodes Incorporated BC847PN-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.5 (16 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Date Sheet

Lagernummer 63000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：6.010099mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：200
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：200mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC847PN
Число контактов：6
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：200mW
Сокетная связка：ISOLATED
Продуктивность полосы частот：300MHz
Тип транзистора：NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V / 220 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：300MHz
Максимальное напряжение разрушения：45V
Частота - Переход：300MHz 200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 63000

Итого $0.00000