MMDT4124-7-F

Name: Diodes Incorporated MMDT4124-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 5 (17 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Bipolar Transistors - BJT 25V 200mW
Date Sheet

Lagernummer 48

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：6.010099mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：25V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：120
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
Максимальная потеря мощности：200mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：200mA
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMDT4124
Число контактов：6
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：300MHz
Тип транзистора：2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：25V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 2mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：300MHz
Максимальное напряжение разрушения：25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：200mA
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 48

Итого $0.00000