(0)
Изображение служит лишь для справки
SBC846BPDW1T2G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：65V
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：380mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Основной номер части：BC846BP
- Число контактов：6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Мощность - Макс：380mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода：100MHz
- Максимальное напряжение разрушения：65V
- Частота - Переход：100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
