Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 136

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:36 Weeks
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:8-SIP
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:60V
  • Количество элементов:3
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Bulk
  • Опубликовано:2001
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:8
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.05
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Максимальная потеря мощности:3W
  • Положение терминала:SINGLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Число контактов:8
  • Код JESD-30:R-PSIP-T8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:COMPLEX
  • Мощность - Макс:3W
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип транзистора:3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2V
  • Максимальный ток сбора:4A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 3A 4V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):100μA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2V @ 10mA, 3A
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 136

Итого $0.00000