MMBT3906TT1G

Name: ON Semiconductor MMBT3906TT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
SC-75, SOT-416
TRANS PNP 40V 0.2A SC75-3
Date Sheet

Lagernummer 1415

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-40V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-200mA
Частота：250MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBT3906
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Мощность - Макс：200mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：250MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Время включения максимальный (тон)：70ns
Высота：800μm
Длина：1.65mm
Ширина：900μm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1415

Итого $0.00000